存储芯片行业周度跟踪：美光科技在新加坡兴建HBM先进封装厂，存储现货市场整体成交较为一般

　　核心观点

　　NAND：集邦咨询预计2025Q1NAND平均合约价预测降10~15%。根据DRAMexchange，上周（20250106-0110）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.65%至1.25%，平均涨跌幅为0.12%。其中12个料号价格持平，7个料号价格上涨，3个料号价格下跌。根据IT之家援引TrendForce集邦咨询报告，预测2025年第1季度NAND Flash平均合约价环比下降10~15%；DRAM合约价环比下降8~13%。集邦咨询预测，2025年第1季度NAND Flash市场将面临严峻挑战，供货商库存持续上升，订单需求下降，平均合约价预计将环比下降10%至15%。

　　DRAM:铠侠宣布已开发出OCTRAM技术。根据DRAMexchange，上周（20250106-0110）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.16%至1.09%，平均涨跌幅为-0.09%。上周8个料号呈上涨趋势，9个料号呈下降趋势，1个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，铠侠宣布已开发出OCTRAM技术，这是一种新型4F² DRAM，由兼具高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术采用InGaZnO（铟镓锌氧化物）晶体管，可将漏电率降低到极低水平，从而降低DRAM功耗。

　　HBM：美光科技在新加坡兴建HBM先进封装厂。根据CFM闪存市场报道，美光科技位于新加坡的高带宽存储器（HBM）先进封装厂于1月8日破土动工，这是新加坡第一家同类工厂。新工厂计划于2026年开始运营，并从2027年开始扩大美光的先进封装总产能，以满足人工智能增长的需求，并将与美光在新加坡的现有业务产生协同效应。美光在HBM先进封装方面的投资约为70亿美元（95亿新元）。

　　市场端：存储现货市场整体成交较为一般。根据CFM闪存市场报道，存储现货市场整体成交较为一般，原本短暂平静的渠道市场受部分存储厂商杀价行为影响被打破，渠道SSD和内存条多数价格下挫。嵌入式市场整体供应偏多，除低容量eMMC以外，大容量嵌入式和LPDDR4X产品价格普遍向下调整。

　　投资建议

　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。

　　风险提示

　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

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甬兴证券 陈宇哲,林致