电子行业研究周报：龙头对HBM3E涨价，HBM行业占比提高

　　投资摘要：

　　每周一谈：龙头对HBM3E涨价HBM行业占比提高

　　三星和SK海力士对HBM3e涨价20%，AI推动HBM行业占比进一步提升。根据芯智讯援引《朝鲜日报》报道，三星电子和SK海力士已将2026年HBM3e供应价格上调近20%，尽管HBM3e今年仍是HBM市场主流产品，但随着HBM4在明年上市，HBM3E的价格预计将趋于回落或持平。包括英伟达、AMD在内的AI芯片厂商仍在持续出货基于HBM3e的AI加速器，需求或将保持稳步增长。

　　根据半导体产业纵横援引TrendForce数据，HBM产品主要用于AI芯片模块，英伟达、AWS、谷歌和AMD四家AI芯片公司占据HBM需求的95%。2025年的主流产品是HBM3e，部分AI芯片公司使用HBM3或HBM2e，2026年的主流产品仍将是HBM3e，堆叠的DRAM芯片数量或将从8个增加到12个。2025年HBM出货及销售额占DRAM的比例将进一步提升，出货量提升至8%、销售额占比将提升至33%，至2026年两项占比有望进一步提升。

　　根据闪存市场，美光预计HBM潜在市场规模（TAM）的复合年增长率（CAGR）约为40%，从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元，这一市场规模将超过了2024年整个DRAM市场规模。美光上调资本开支，增加的资金将主要用于支持其在2026日历年的HBM供应能力及1-gamma工艺节点产能。美光正加紧下单采购设备并加速安装，以最大化产出能力。

　　SK海力士M15X工厂量产时间提前，或抢先应对Rubin对HBM4需求。根据闪存市场援引韩媒thelec报道，SK海力士M15X新工厂的量产比原计划提前4个月，或为抢先应对Rubin对HBM4的需求。SK海力士目前已经完成1b HBM4工艺的认证，并将于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。受益于HBM等涨价、产能紧张，存储量价向上周期预计延续。

　　建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。

　　投资策略：建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。

　　风险提示：贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧

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申港证券 王伟