电子:存储价格有望进入上行区间,CUBE替代机遇有望加速
本期内容提要:
全球大厂capex大增,需求端有望提升。根据Bloomberg数据,2025年Meta、谷歌、亚马逊和微软的合计资本开支预计达2972亿美元,同比增长36.8%。微软近期虽调整部分数据中心租约策略,但其明确表示未来三年将保持基础设施投资强度,2024财年已投入超800亿美元。这一投入方向与AI算力需求的长期增长趋势一致。阿里巴巴宣布未来三年将投入3800亿元用于云和AI基础设施建设,创下国内民营企业同类投资纪录。其通义千问大模型家族衍生模型数量超9万个,成为全球最大开源模型社区之一。腾讯、百度等企业则加速推进DeepSeek大模型的行业应用,覆盖政务、金融、医疗等领域。2025年,国内三大厂商(腾讯、百度、阿里巴巴)资本开支预计同比增长19.1%,达154.2亿美元。
存储原厂积极减产,有望推动存储价格进入上行区间。自2023年起,各大NAND Flash原厂已深刻认识到供给过剩对产业造成的严重冲击,供应商需积极调整生产策略,以避免价格下行周期持续扩大。2025年初,各NAND Flash原厂均采取更为坚决的减产措施,缩减全年投产规模,期待有效降低供应位元增长率,此举有助于快速减轻市场供需失衡的压力,为价格反弹铺定基础。其中,三星已于2024年底决定降低西安工厂的NAND闪存产量,削减幅度达到10%以上,此外还调低了华城12号和17号生产线的产量,以期进一步控制整体产量。根据TrendForce预测显示,今年一季度随着三星等原厂减产、智能手机库存去化、AI及DeepSeek效应带来的需求增长,NAND Flash供需结构将有望显著改善,三季度NAND Flash有望环比上涨10-15%,四季度有望继续增长8-13%。
原厂逐步退出DDR3/DDR4竞争,关注CUBE窗口期替代机遇。根据DIGITIMES,由于DRAM价格正因需求疲软而下跌,DRAM三大原厂三星、SK海力士和美光有意把生产资源集中在DDR5与高带宽存储器(HBM),因而将在2025年内停产DDR3和DDR4。华邦电等宣布推出CUBE(定制化超高带宽组件)新内存解决方案,通过大幅优化内存技术,展现高性能的边缘AI运算能力,帮助客户在主流应用场景中完成边缘AI计算的应用,相当于4至32个LP-DDR4x4266Mbps x16IO带宽,有机会最小化SoC芯片尺寸,进而省下TSV面积损失,有望为边缘AI设备带来更明显的成本优势,拓宽了DDR4的应用范围。
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风险因素:下游需求不及预期风险;上游原厂供给过剩风险。
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