减产提价！多重因素影响，国内存储芯片逐步崛起

　　存储芯片，格局将变

　　近期，三星电子与长江存储达成合作。起因是三星在电子研发 420-430 层的 V10 闪存时，传统工艺导致底层电路压力过大，性能下降。 而长江存储的 Xtacking 技术通过分离存储单元与控制电路，再通过混合键合拼接，缩短电路路径，提升散热效率，同时降低成本。 长江存储在混合键合领域拥有全球 70%以上的核心专利，三星评估后认为无法规避，选择合作以避免法律风险。这是中国企业首次向国际存储巨头输出核心技术，标志着中国从存储芯片“追赶者”转向“领导者”。

　　而完成这一转变的最大功臣当属 Xtacking 技术。 它将存储单元与控制电路独立制造，避免传统工艺中二者堆叠导致的信号干扰。在芯片连接方面，大量使用混合键合技术，利用微米级金属凸块（Bumping）与硅穿孔（TSV）进行芯片间三维连接，缩短电路路径，提升数据传输速度。

　　在存储芯片市场上，长江存储面对三星电子无疑是后进者。存储芯片是典型的寡头垄断市场， 长期由韩美企业主导。一般而言，存储厂商投片量越多， 其芯片单位成本相对越低。 2024 年，长江存储约占全球NAND Flash 市场份额的 6%，而三星约占市场份额的 32%。 DRAM 市场也出现类似的情况，长鑫集成的市场份额仅为 5%。总体而言，国内存储芯片市场份额仍相对较少

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深圳来觅数据信息科技 李沛瑶