投资要点

　　2024年6月2日，黄仁勋宣布下一代AI平台“Rubin”将集成HBM4内存，预计于2026年发布。

　　“Rubin”确认搭载HBM4，存力成为重要升级方向

　　北京时间2024年6月2日，英伟达（NVIDIA）CEO黄仁勋在COMPUTEX2024大会上发表主题为“开启产业革命的全新时代”的演讲，宣布Blackwell芯片已开始投产，其增强版BlackwellUltraGPU芯片预计于2025年推出；下一代数据中心GPU架构名为“Rubin”，将集成HBM4内存，RubinGPU和RubinUltraGPU预计分别于2026年和2027年发布。

　　存力是英伟达AI产品的重要升级方向。基于Hopper架构的H200发布于2023年11月，搭载了6颗HBM3E芯片，容量为141GB，带宽为4.8TB/s。时隔仅4个月，英伟达发布了新一代GPU架构——Blackwell；BlackwellGPU搭载了8颗8层HBM3E芯片，容量达192GB，带宽高达8TB/s，现已开始投产；其增强版BlackwellUltraGPU芯片预计于2025年推出，将搭载8颗12层HBM3E芯片。英伟达计划于2026年推出名为“Rubin”的下一代数据中心GPU架构。基于Rubin架构的RubinGPU将配备8个HBM4芯片；其增强版RubinUltraGPU将集成12颗HBM4芯片，预计于2027年推出，这也是英伟达首次在其AI半导体芯片中使用12颗HBM芯片。

　　三大原厂加速HBM迭代，推动产业链配套升级

　　美光、SK海力士和三星三大存储原厂于2024年相继实现HBM3E的量产，同时加速推进HBM4的研发工作。

　　美光：2024年2月，美光宣布量产HBM3E，并将搭载于NVIDIAH200TensorCoreGPU。该产品单引脚最大I/O速率超9.2Gbit/s，最高带宽超1.2TB/s，层数为8层，容量为24GB。此外美光还提供容量为36GB的12层堆叠HBM3E样品。美光计划于2026年发布HBM4产品，最高带宽超1.5TB/s，容量为36GB~48GB，堆叠层数达到12/16层。美光预计2028年推出HBM4E产品，容量将提升至48GB~64GB，带宽增加至2TB/s以上，而堆叠层数仍为12/16层。

　　SK海力士：2023年8月，SK海力士宣布成功开发出HBM3E，单引脚最大I/O速率为9.2Gbit/s，层数为12层，最高带宽超1.18TB/s；同时该产品采用了MR-MUF技术，散热性能提升10%。2024年3月，SK海力士宣布HBM3E已开始量产。2024年4月，SK海力士宣布将与台积电合作开发HBM4产品。SK海力士表示，应大客户要求，HBM开发进度将提前一年，预计于2025年完成HBM4的开发；HBM4E最早于2026年推出，内存带宽将是HBM4的1.4倍。

　　三星：2023年10月，三星推出其HBM3E产品——“Shinebolt”，单引脚最大I/O速率高达9.8Gbit/s，同时提供1.2TB/s的高带宽。根据Wccftech消息，8层HBM3E已于2024年4月量产，容量高达36GB的12层HBM3E计划于24Q2实现量产。在ISSCC2024上，三星公布了其HBM4的研究成果，最高带宽达2TB/s，并通过16层堆叠实现48GB容量，计划于2025年推出。

　　我们认为，以英伟达为代表的AI芯片厂商正加快开发周期，作为AI芯片最强辅助的HBM也在加速迭代，推动HBM产业链持续配套升级的同时带来新需求。

　　投资建议：建议关注HBM产业链相关标的：1）封测环节：通富微电（先进封装）、长电科技（先进封装）等；2）设备环节：拓荆科技（PECVD+ALD+键合设备）、华海清科（减薄+CMP）、华卓精科（拟上市，键合设备）、芯源微（临时键合与解键合）等；3）材料环节：华海诚科（环氧塑封料）、天承科技（RDL+TSV电镀添加剂）、艾森股份（先进封装电镀）等。

　　风险提示：行业与市场波动风险，国际贸易摩擦风险，新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，产能扩张进度不及预期风险，行业竞争加剧风险。