核心观点

　　NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，三星、SK海力士和Kioxia提高产量。根据DRAMexchange，上周（0617-0621）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.43%至2.61%，平均涨跌幅为0.17%。其中7个料号价格持平，8个料号价格上涨，7个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，2023年大规模的生产削减部分导致NAND闪存价格上升。目前，三星电子、SK海力士、铠侠和西部数据，正在恢复全产能生产。

　　DRAM：颗粒价格小幅波动，三星和SK海力士将3D DRAM技术应用到混合键合技术。根据DRAMexchange，上周（0617-0621）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-4.01%至0.13%，平均涨跌幅为-0.94%。上周1个料号呈上涨趋势，14个料号呈下降趋势，3个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，三星电子和SK海力士正在将3D DRAM技术与先进的混合键合技术相结合，探索更深层次的芯片堆叠和更紧密的连接方式，以提高存储芯片的性能，并在制造过程中实现更高的生产效率。

　　HBM：美光全球扩张HBM内存产能以提升市场份额，三星将于2024年内推出3D HBM芯片封装服务。根据CFM闪存市场报道，在全球AI技术热潮的推动下，美光科技正在积极扩大其HBM内存的全球产能，为AI和高性能计算领域提供更加强大的支持。三星首次在公开活动中发布HBM芯片的3D封装技术。该技术将HBM芯片垂直堆叠在GPU顶部，以进一步加速数据学习和推理处理。3D封装不仅无需硅中介层或位于芯片之间的薄基板，以使它们能够通信和协同工作；而且降低了功耗和处理延迟，提高了半导体芯片电信号的质量。

　　市场端：渠道和行业SSD价格保持稳定。上周（0617-0621）eMMC价格下降2.34%，UFS价格持平。根据CFM闪存市场报道，本周渠道SSD和内存价格持平不变。渠道市场小单询单增多、少量补货，但短期需求依旧不明朗。贸易端部分渠道中低端资源供应减少，价格出现小幅反弹；且品牌厂商恐慌杀价的现象有所缓解。行业市场方面，部分工控行业SSD需求有所好转，现货供应端普遍持惜售态度，本周行业SSD和内存价格趋于稳定。现货嵌入式方面，本周部分低容量eMMC及LPDDR价格小幅下调。

　　投资建议

　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

　　风险提示

　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

甬兴证券陈宇哲