核心观点

　　NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，NAND生产开工率上升带动韩国半导体材料供应商业绩增长。根据DRAMexchange，上周（0624-0628）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.72%至0.13%，平均涨跌幅为-0.33%。其中7个料号价格持平，3个料号价格上涨，12个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，去年，由于需求低迷，三星电子和SK海力士将NAND工厂的开工率降至20-30%，今年开工率已上升至70%以上。Soulbrain和WonikMaterials等韩国供应商已经扩大了供应能力，以满足4月份开始量产的三星第9代NAND所需材料日益增长的需求。

　　DRAM：颗粒价格小幅波动，SK海力士3D DRAM制造良率曝光。根据DRAMexchange，上周（0624-0628）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.11%至1.87%，平均涨跌幅为-0.02%。上周8个料号呈上涨趋势，9个料号呈下降趋势，1个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，SK海力士称其5层堆叠的3D DRAM的制造良率已达56.1%，实验性的3D DRAM显示出与目前使用的2D DRAM相似的特性。与2D DRAM的稳定运行不同，3D DRAM表现出不稳定的性能特征，需要堆叠32-192层存储单元才能实现普遍使用。HBM：ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备，HBM产能增长推动热压键合机市场需求增长。根据CFM闪存市场报道，韩国后端设备制造商ASMPT向美光提供演示热压(TC)键合机，双方已开始联合开发下一代键合机，用于HBM4生产。韩国半导体设备公司生产的热压键合机订单量因三星电子和SK海力士增加其高带宽内存（HBM）生产而迅速增加。

　　市场端：价格处于底部盘整阶段。上周（0624-0628）eMMC价格下降3.75%，UFS价格持平。根据CFM闪存市场报道，存储现货渠道市场买卖情绪低迷，价格处于底部盘整阶段。部分渠道厂商为追逐流水纷纷抢单，现货渠道市场倒挂形势依然严峻；另外，部分原厂品牌采取低价策略加速成品出货以实现利润增长，但由于目前渠道价格仍居低位，议价空间小，本周渠道SSD和内存价格维持不变。本周存储行业SSD和内存条价格维持稳定。工控端SSD有小单询价，价格未出现过度波动；行业内存条终端谨慎拿货且报价低，供应端出货意愿不强，整体需求依旧不佳。现货嵌入式方面，本周部分大容量eMMC及LPDDR价格小幅下跌。

　　投资建议

　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

　　风险提示

　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

甬兴证券 陈宇哲