核心观点

　　NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，三星首次将钼应用于第9代V-NAND工艺。根据DRAMexchange，上周（0701-0705）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.95%至1.33%，平均涨跌幅为-0.06%。其中12个料号价格持平，2个料号价格上涨，8个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，目前三星已引进了5台LamResearch钼沉积设备，明年还将引进约20台设备。三星电子在金属布线工艺中应用钼是为了提高晶体管内的“电阻率”。通过提高电阻率，NAND可以堆叠得更高。此外，在NAND金属布线工艺中使用钼，可将延时减少30%-40%。据悉，除三星电子外，SK海力士、美光、铠侠等也在考虑将钼应用到NAND Flash。

　　DRAM：颗粒价格小幅波动，美光1γ DRAM试产进展顺利。根据DRAMexchange，上周（0701-0705）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-4.54%至4.51%，平均涨跌幅为0.92%。上周11个料号呈上涨趋势，7个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，美光目前所有量产DRAM芯片均采用DUV光刻机制造，但已于今年开始1γ工艺的EUV技术试生产，并计划于2025年实现量产。美光CEO Sanjay Mehrotra近日在电话会议上确认，1γDRAM试产进展顺利，符合量产计划。

　　HBM：HBM产能售罄至2025年，HBM4技术迭代加速。根据CFM闪存市场报道，随着人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和数据中心的快速发展，HBM芯片市场需求激增。HBM芯片在通用内存市场的占比已从8%增长至15%，成为许多高性能应用的首选。美光科技（Micron）和SK海力士（SK Hynix）作为HBM市场的主要玩家，近期均宣布其HBM生产产能已全部售罄直至2025年。HBM4技术预计将带来重大变革，包括接口宽度的增加、堆叠层数的提升、功耗的降低以及工艺的改进。

　　市场端：价格处于底部盘整阶段。上周（0701-0705）eMMC和UFS价格持平。根据CFM闪存市场报道，目前市场买气消沉，部分产品线市场流速减缓处于持续库存去化阶段。现货渠道SSD和内存条市场价格全面小幅下探，整体需求惨淡且抢单厮杀激烈。存储行业SSD和内存条价格相对持平，未出现明显杀价情况。嵌入式价格趋于平稳。虽嵌入式现货市场有少量询单，但市场成交依然寡淡，整体市场观望情绪浓重。

　　投资建议

　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

　　风险提示

　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

甬兴证券 陈宇哲