核心观点

　　NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，企业级需求强劲支撑NAND价格。根据DRAMexchange，上周（0708-0712）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.48%至0.75%，平均涨跌幅为-0.20%。其中14个料号价格持平，1个料号价格上涨，7个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，群联电子6月营收创历年同期新高，PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达79%；累计1-6月营收为历史同期营收次高，NAND存储位元数总出货量为历史同期新高，整体NAND存储市场需求朝正面好转的趋势不变。零售存储市场已出现筑底现象，NAND原厂看好企业级SSD存储需求强劲，移动存储容量持续上升，原厂对NAND的市场价格呈现坚定态度。

　　DRAM：颗粒价格小幅波动，美光1γ DRAM试产进展顺利。根据DRAMexchange，上周（0708-0712）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-6.91%至7.66%，平均涨跌幅为1.82%。上周13个料号呈上涨趋势，5个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，美光目前所有量产DRAM芯片均采用DUV光刻机制造，但已于今年开始1γ工艺的EUV技术试生产，并计划于2025年实现量产。美光CEO Sanjay Mehrotra近日在电话会议上确认，1γDRAM试产进展顺利，符合量产计划。

　　HBM：三星电子开发定制HBM，预计HBM4量产时商业化。根据CFM闪存市场报道，三星电子正积极进军人工智能（AI）内存市场，开发定制高带宽内存（HBM）。此外，三星电子正在与AMD、苹果等主要客户进行定制合作，预计在HBM4量产时定制HBM将实现商业化。

　　市场端：渠道和行业SSD价格保持稳定。上周（0708-0712）eMMC价格持平，UFS价格持平。根据CFM闪存市场报道，本周渠道SSD和内存条市场整体趋于稳定，目前渠道市场仍处于倒挂状态，竞价出货主要集中在资源相对充裕且成本水位较低的低容量SSD市场，以缓解变现压力，而高容量成品市场则相对平稳。行业市场方面，受渠道市场传导影响，本周部分行业SSD和内存条价格小幅下调，整体相对稳定。嵌入式市场价格维持不变。

　　投资建议

　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

　　风险提示

　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

甬兴证券 陈宇哲