兆易创新(603986)“存”如基石“算”如冀，花月正春风
兆易创新(603986)
投资要点
Nor基本盘稳中有增，紧握DRAM超级周期/大厂产能结构调整机遇。（1）NorFlash：兆易创新占有率持续增长，产品覆盖512Kb-2Gb。根据华经产业研究院数据，2021年全球NORFlashCR3占比超90%，其中大陆企业兆易创新占比23.2%，较2016年上升16.2pcts（根据前瞻产业研究院数据，2016年全球NorFlash市场中兆易创新市场份额仅为7%）。根据兆易创新2024-07-18投资者问答显示，据Web-FeetResearch报告，兆易创新2023年SerialNORFlash市占率排名进一步提升至全球第二位。公司SPINORFlash可提供多达16种容量选择，覆盖512Kb到2Gb，可满足多种实时操作系统所需不同存储空间；并且，拥有四种不同电压范围，分别为3V、1.8V、1.2V以及针对电池供电应用推出的1.65V~3.6V宽压供电的产品系列；同时，提供多达20种不同的封装选项，可满足客户不同应用领域对容量、电压以及封装形式的需求。目前兆易创新55nm工艺节点全系列产品均已量产，并持续开展工艺制程迭代。（2）DRAM：紧握存储周期&大厂产能转移机遇，预计25年覆盖主要利基DRAM。随着行业供需关系大幅改善，存储原厂增加资本支出主要用于偏先进产品扩产。其中，SK海力士2024年微弱增加资本支出并主要用于高价值产品扩产，计划TSV产能翻倍，扩大256GB DDR5、16-24GBLPDDR5T等供应；三星继续增加HBM、1βnmDDR5、QLCSSD等的供应。在DRAM产品上，公司持续丰富产品线，积极拓展DDR3、DDR4系列。公司DRAM产品可广泛应用在网络通信、电视、机顶盒、智慧家庭、工业、车载影音系统等领域。2024年上半年内，公司不断丰富自研DRAM产品组合，通过可靠的品质表现及产品力满足市场需求。公司DRAM产品包括DDR3L和DDR4两个品类，DDR3L产品提供市场通用的1Gb/2Gb/4Gb容量；DDR48Gb产品已流片成功，并已为客户提供样片，以4Gb/8Gb容量为市场提供广泛应用选择。后续公司会继续研发LPDDR4产品，预计到2025年，公司DRAM产品能覆盖主要利基市场需求，并实现量产供应。（3）NAND：24nm/38nm全面量产，进一步拓展汽车电子。在NANDFlash产品方面，38nm和24nm两种制程全面量产，并正在以24nm为主要工艺制程，容量覆盖1Gb~8Gb，其中SPINANDFlash在消费电子、工业、汽车电子等领域实现了全品类的产品覆盖。公司38nmSLCNANDFlash车规级产品容量覆盖1Gb~4Gb，搭配车规级SPINORFlash，为进入车用市场提供更多机会。
智能化助力市场增长，超600款产品打造MCU百货商店。短期来看，MCU市场的增量热点应用主要集中在汽车、工业和物联网几个关键领域。随着AI（人工智能）技术不断向MCU端下沉，它将为设备提供更智能的决策支持，推动MCU在更广泛的市场和应用领域进一步发展。公司微控制器产品（MCU）主要为基于ARMCortex-M系列、以及基于RISC-V内核的32位通用MCU产品。GD32MCU采用ARM？Cortex？-M3、Cortex？-M4、Cortex？-M23、Cortex？-M33、Cortex？-M7？系列和RISC-V内核，在提供高性能、低功耗的同时兼具高性价比，公司产品支持广泛的应用，如工业应用（包括工业自动化、能源电力、医疗设备等）、消费电子和手持设备、汽车电子（包括汽车导航、T-BOX、汽车仪表、汽车娱乐系统等）、计算等。作为国内32bitMCU产品领导厂商，公司GD32MCU产品已成功量产51大产品系列、超过600款MCU产品，实现对通用型、低成本、高性能、低功耗、无线连接等主流应用市场全覆盖。
投资建议：我们预计2024年至2026年营业收入分别为76.47/99.26/117.76亿元，增速分别为32.8%/29.8%/18.6%；归母净利润分别为11.79/17.37/22.49亿元，增速分别为631.8%/47.3%/29.4%；PE分别为37.7/25.6/19.8。考虑到公司不断推进存储芯片工艺制程迭代，持续壮大MCU百货商店，在消费电子/汽车电子/工业等智能化背景下，叠加DRAM头部大厂产能切换，公司或复制NorFlash发展路径，鉴于DRAM市场空间较Nor市场空间更大，公司营收/利润空间有望扩大，维持“买入-A”评级。
风险提示：下游需求不及预期风险；新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险；宏观环境和行业波动风险；供应链风险；汇兑损益风险。
