电子行业存储芯片周度跟踪:SK海力士16层48GBHBM3E将于2025年初送样,渠道市场价格小幅下修
核心观点
NAND:NAND颗粒市场价格小幅波动,铠侠北上K2工厂2025年秋天投产BiCS8。根据DRAMexchange,上周(1104-1108)NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.82%至2.82%,平均涨跌幅为-0.18%。其中12个料号价格持平,3个料号价格上涨,7个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道,铠侠11月5日宣布,其岩手县北上市的北上工厂「第2厂房(K2)」已全面竣工,为了预备K2投产,自2024年11月11日起,行政、技术部门将陆续搬进临近K2的新行政大楼,预估K2将在2025年秋天投产。
DRAM:颗粒价格小幅下跌,威刚对全球生成式AI和云服务的快速增长持乐观态度。根据DRAMexchange,上周(1104-1108)DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.50%至3.25%,平均涨跌幅为-0.64%。上周3个料号呈上涨趋势,14个料号呈下降趋势,1个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道,威刚对全球生成式AI和云服务的快速增长持乐观态度,这一趋势正在推动高带宽存储器(HBM)和服务器存储产品的市场需求。短期内,威刚对存储行业的供需状况保持积极看法,预计市场将保持稳定。从长远来看,威刚预计随着电子产品搭载的存储容量的显著增加,以及对2025年AI个人电脑和AI智能手机领域可能出现的突破性产品的期待,2025年存储行业有望迎来新的需求高峰。
HBM:SK海力士16层48GB HBM3E将于2025年初送样。根据CFM闪存市场报道,SK海力士继近期HBM3E12层宣布量产后,其16层48GB样品计划于2025年初送样,SK海力士计划扩大客户群,并加强与NVIDIA等大客户的合作。
投资建议
我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM:受益于算力芯片提振HBM需求,相关产业链有望迎来加速成长,建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等;
存储芯片:受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升,产业链有望探底回升。推荐东芯股份,建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
风险提示
中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。